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2025 OEM 智能设备技术论坛

新闻速递

Verisity公司将推出更全面的验证窗口工具
Verisity公司将宣布为硬件设计师、软件开发人员、验证专家、架构师及项目经理提供专用“验证窗口(verification viewport)”。该视窗将作为Verisity的验证过程自动化(Verification Process Automation,VPA)解决方案的一部分,以Specman测试...     [全文]
PTC在年度中国用户会上热推“产品开发战略图”
产品开发软件厂商—PTC公司日前宣布,一年一度的“PTC中国区用户精英大会”在桂林召开。来自全球各行业的500多位制造企业用户代表、PTC全球和国内高层人士、以及PTC的合作伙伴出席了此次大会。 会议针对不同行业组织题为行业产品开发相关...     [全文]
飞利浦和阿尔卡特完成Edge互操作性测试
飞利浦及阿尔卡特公司在近期举行的GSM美国展会上宣布,已成功完成一系列220 Kbps Edge互操作性测试。在此宣布前一天,AT&T公司宣布推出覆盖全美6500座城市和3万英里公路的200-Kbps Edge网络。 AT&T还宣称,将向用户以149美元的价格提供索尼...     [全文]
台湾地区厂商合作开发GHZ高速传输光电PCB板
台湾地区工研院所最近与华通计算机和嘉联益科技两家公司共同开发成功高速电光PCB板(Electro-Optical Printed Circuit Board)及其关键技术“有机光波导软膜技术”,据称此项技术将对计算机宽频网络及其服务业所需的GHZ级高速信息号传输环境...     [全文]
磷光材料OLED面板将进入批量生产阶段
据悉,采用磷光材料的OLED面板就将要进入批量制造的阶段。日本先锋旗下公司Tohoku Pioneer在1999率先推出OLED面板,该公司已经与Universal Display公司(UDC)签署了供应OLED面板的磷光材料协议。 Tohoku Pioneer将使用UDC公司的PHOLED原料制...     [全文]
英特尔推出65纳米工艺的SRAM,2005年推广生产
英特尔公司日前宣布已制造出基于65纳米技术的SRAM(静态随机存储器)芯片,并称将在2005年将这一制程应用于300毫米晶圆的工艺制造。 英特尔指出,已使用65纳米工艺制造出晶胞尺寸仅0.57μm2的4M SRAM芯片。小的SRAM晶胞可在处理器上集成更大...     [全文]
英国通信调控机构考虑开放频谱贸易
日前从Oftel接管了所有媒体及通信规则的英国调控机构Ofcom公司,已开始着手咨询面向移动电话、无线电、传呼和电视广播的频谱贸易。 提案将于2004年夏天实施,此举意味着英国将成为第一个允许主要频率在商用基础上展开贸易的欧洲国家。 工...     [全文]
Sematech认可MSQ作为超低K材料
由领先半导体制造商组成的国际Sematech联盟(ISMT)工程工作组目前认可了一种名为MSQ的多孔渗水低K材料,采用193纳米波长光刻技术,用于在300mm直径的晶圆上加工130纳米特征尺寸的双纹路铜。 这种MSQ(methylsilsesquioxane)薄膜材料由硅氧及...     [全文]
台湾工研院开发出单层纳米碳管定位成长技术
可以准确控制纳米碳管长成位置的单层纳米碳管(Single-Walled Carbon Nanotube,SWNT)定位成长技术,近日由台湾地区工研院电子所与化工所合作开发成功。该技术采用与现有半导体制程兼容的材料与制程,可直接制作在4~8英寸硅芯片基板上。 台湾...     [全文]
Cadence NanoRoute布线器受欢迎,优在速度和信号完整性
Cadence Design Systems公司日前宣布, Cadence Encounter数字IC设计平台的核心组件NanoRoute布线器已经实现了其第100个IC tapeout。 据了解,NanoRoute可以针对阻塞、时序及信号完整性问题同时产生并优化布线。优化是在详细布线期间进行,...     [全文]
航天信息推出企业通过手机查询数据的BREW应用
中国联通行业合作伙伴之一的航天信息股份有限公司日前宣布,成功研发出适用于高通公司(QUALCOMM)无线二进制运行环境(BREW)平台的《无线移动数据服务》应用,据称该应用可使企业用户通过其BREW手机实现通用的数据查询及采集,目前已经成功应用...     [全文]
IBM研究人员采用二阶段方法解决光耦合问题
IBM光子学研究人员提出一个大有希望解决光IC耦合光纤问题的方案,这有助于实现基于CMOS的光电子器件。此项突破采用光电路设计通用的光晶体技术,在标准光纤及片上光波导之间产生高效耦合。研究人员声称创造了光纤和CMOS光波导之间信号耦合达...     [全文]
闪存产能紧张,SST部分代工移至宏力和华虹NEC
(作者:倪兆明) 超捷(Silicon Storage Technology, SST)与三洋电机(SANYO Electric)于日前在上海庆祝了双方在闪存技术和生产领域十周年的合作。双方宣布将在下一代超快闪(Super Flash)技术和生产上继续合作并扩展业务合作范围,同时,原来由...     [全文]
Xilinx全球遍设串行实验室,推广Virtex-II Pro
赛灵思公司(Xilinx)日前宣布,推出全球第一个高速串行设计实验室网络—RocketLabs,允许全球的系统设计人员免费接触和使用高速串行设计设备、评估板、专业应用知识以及专业培训。 据了解,RocketLabs实验室网络遍及北美、欧洲、亚洲和日本的...     [全文]
NVE宣称在隧道结磁阻研制上取得新突破
NVE公司宣布,其工程师研制成功迄今为止最高的自旋穿隧SDT(spin-dependent tunneling)结磁阻。该公司采用独特材料,在室温下,在两个稳定状态之间使穿隧磁阻变化超过70%。 隧道结最近由NVE验证,以磁性RAM(MRAM)的非易失性存储形式应用。NVE...     [全文]
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