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NVE公司宣布,其工程师研制成功迄今为止最高的自旋穿隧SDT(spin-dependent tunneling)结磁阻。该公司采用独特材料,在室温下,在两个稳定状态之间使穿隧磁阻变化超过70%。
隧道结最近由NVE验证,以磁性RAM(MRAM)的非易失性存储形式应用。NVE已向几家致力商用化MRAM的公司许可了其MRAM知识产权,包括摩托罗拉公司、赛普拉斯半导体、霍尼威尔及Union Semiconductor Technology公司。
“这项成就昭显了我们开发团队的独创性,并增强了我们的知识产权产品组合,能够提升MRAM制造能力及速度。”NVE总裁兼首席执行官Daniel Baker在声明中表示。NVE计划在2004年1月6日举行的IEEE磁学及磁性材料INTERMAG联合研讨会上公布此项独特设计的细节。
NVE在这一领域的开发工作由美国国家基金会、导弹国防部及美国军事研究实验室签定的合同资金资助。
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