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由领先半导体制造商组成的国际Sematech联盟(ISMT)工程工作组目前认可了一种名为MSQ的多孔渗水低K材料,采用193纳米波长光刻技术,用于在300mm直径的晶圆上加工130纳米特征尺寸的双纹路铜。
这种MSQ(methylsilsesquioxane)薄膜材料由硅氧及碳氢化合物组成,物理结构类似于meringue。MSQ介电常数约为2.5,ISMT表示,目前业内使用的低K材料K值范围为2.65~3.0。
ISMT没有详细解释质量认证的细节,但声称这项进展有可能促进MSQ作为芯片制造商在65纳米制造工艺技术节点的一种超低K备选方案。
ISMT技术专家表示,超低K材料允许芯片上极薄的铜线布局非常靠近,不会出现短路或泄露电流,有可能在2到5年内被应用于商业化制造领域。
多孔渗水MSQ克服了几大工艺挑战,包括薄膜碳损耗、结构性缺陷、对化学品的易感性。
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