英特尔推出65纳米工艺的SRAM,2005年推广生产

英特尔公司日前宣布已制造出基于65纳米技术的SRAM(静态随机存储器)芯片,并称将在2005年将这一制程应用于300毫米晶圆的工艺制造。

英特尔指出,已使用65纳米工艺制造出晶胞尺寸仅0.57μm2的4M SRAM芯片。小的SRAM晶胞可在处理器上集成更大的高速缓存以提高性能。SRAM晶胞具有可靠的运行特性,稳定的噪声容限(noise margin)意味着高效的开关特性。每个SRAM内存晶胞有六个晶体管:1000万个这样的晶体管只有1平方毫米,相当于一支圆珠笔笔尖的大小。

据了解,这种65纳米工艺融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。据称采用65纳米工艺生产芯片能将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。

英特尔技术与制造事业部副总裁兼总经理周尚林博士表示,这一成果使英特尔65纳米技术延续了我们15年的记录,即“每两年推出一种新的制程”。

工艺技术细节

高级晶体管:英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管,据称这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下,今天最先进的晶体管(用于英特尔奔腾4处理器)其门长度仍有50纳米长。

应变硅(Strained silicon):英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度,但制造成本却只会有2%的提升。

采用新型低-K电介质材料的铜互连(Copper Interconnects with new low-k dielectric):新制程集成了八个铜互连层,使用低-K电介质材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。

沿用现有的光刻工具

英特尔的掩模制作小组延长了65纳米制程中193纳米波长光刻设备的使用周期。该公司希望复用当前90纳米制程中的193纳米和248纳米光刻设备,同时添加一些升级的193纳米工具。

据悉,65纳米工艺日前正逐步在英特尔俄勒冈州Hillsboro的开发工厂D1D中被应用于批量生产,计划于2005年推广到其它300毫米晶园制造工厂投入生产。