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IMEC宣称氧化铪门堆栈研究取得进展
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国际大学微电子中心(Interuniversities MicroElectronics Center,IMEC)声称已演示了采用氧化铪高K介电材料和金属门,等效氧化物厚度小于1纳米。这家独立的研究中心还宣称在减小氧化铪阈值电压不稳定性方面取得进展。
IMEC及许多领先半导体...
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华为采用CADENCE INCISIVE平台降低总验证时间
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Cadence Design Systems公司日前宣布,华为技术有限公司已经采用Cadence Incisive功能验证平台作为其纳米级IC的主要验证平台。
据了解,为了开发其新一代电信设备,华为技术有限公司已经在SystemC和多语言方式下评估了Cadence的Incisive平台...
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UMC借助Ansoft软件提升电磁仿真水平
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台湾地区的芯片制造商联华电子(United Microelectronics, UMC)近日宣布,他们提高了基于CMOS制造工艺的无线射频设备的电磁场仿真水平。
该公司声称,他们利用电磁场建模工具把电磁仿真周期从数小时缩短到数分钟。不过他们承认,仿真水平的提...
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风河加入两家开放源代码组织,加强对Linux的支持
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嵌入式软件及服务提供商美国风河系统公司(Wind River Systems)日前宣布,加入两个开放源代码组织—开放源代码开发实验室(OSDL)和Eclipse联盟。
OSDL是由致力于推广Linux操作系统的客户和技术公司组成的全球性组织。风河公司将与OSDL合作开...
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科大讯飞宣布推出银行专业版语音合成系统
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日前,语音技术提供商科大讯飞宣布推出其最新产品—银行专业版语音合成系统。据称该产品在保留InterPhonic中英文语音合成系统各项关键特性的同时,显著提升了面向银行语音应用的信息预处理准确度和输出语音的清晰、流畅、自然效果。
据了解...
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EDA初创公司率先预演基于声明的综合技术
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EDA初创公司Bluespec将预演一种“基于声明的”综合技术,该公司将其描述为芯片设计的新方法。工具套件采用高级SystemVerilog描述,并生成可综合的RTL,减少了一半的网表验证时间。Bluespec计划2004年第一季度上市该工具。
Bluespec还将宣布...
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AnalogicTech进驻香港科技园,图谋珠三角制造中心
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低电压功率管理方案开发商Advanced Analogic Technologies公司日前宣布,将扩大位于中国香港地区的分公司规模,并迁往新落成的香港科技园(HKSTP)。
作为Advanced Analogic Technologies的全资附属机构,该公司香港分部为大型全球制造和销售...
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IMQ成立上海代表处,服务中国电子出口企业
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意大利质量标志协会(IMQ)日前宣布,成立IMQ上海代表处,为广大的电器、电子、燃气具类企业出口欧洲及世界各国提供包括认证、检验、技术服务等各方面的便利。
据了解,意大利质量标志学会(IMQ),由意大利主要的科技机构于1951年创立,在电气和...
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IBM演示有机硅聚合物晶圆加工技术
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日前,来自IBM的工程师利用自组装聚合分子成功制造非易失性存储器。另外,还展示了这款纳米尺寸的芯片可以兼容传统的亚微米半导体工艺。这名为“采用自组装模板制造低电压、可升级非晶体闪存”报告是在最近的国际电子器件会议(IEDM)上发布的...
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SDK开发出AlInGaP LED,亮度比现有产品增加三倍
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Showa Denko K.K.(SDK)公司日前开发出磷化铝镓铟(AlInGaP)发光二极管,据称比现有产品的亮度要高三倍。这项由SDK公司Chichibu工厂开发出来的技术采用倒装芯片结构,将满足不断增长的户外陈列的市场需求。
SDK公司的专有倒装芯片技术使得LE...
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日立和瑞萨声称开发出全球最小的闪存单元
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日立(Hitachi)公司和瑞萨科技(Renesas Technology)公司开发出据其称是全球最小的闪存单元,使器件的编程速度达到80Mbps。两家公司的工程师在国际电子器件会议(IEDM)上展示了这项研究成果。
该存储单元采用了具备多级单元技术的所谓Assist...
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LVL7平台可加快L2/L3交换设备开发
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LVL7公司将把其Fastpath软件家族内的模块捆绑进面向生产的应用开发平台,此举将允许设计师能在少至90天的时间内构建层2和/或层3交换设备。“带多点传送能力的L2/L3交换能在90天内投入生产。”LVL7公司市场副总裁Kishore Jotwani表示。
LV...
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TI在IEDM上分享高K材料氮氧硅铪的研究
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德州仪器公司最近在国际电子器件大会(IEDM)上发表了使用氮氧硅铪(HfSiON)的论文,据TI称,该论文将展示这种材料可以作为高K介电材料,用于未来晶体管的门极,尤其在电稳定性方面尤为突出。这篇论文没有确定金属门材料,但采用硅门来比较HfSiON...
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富士通研制出输出功率最高的GaN晶体管
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日本富士通研究所(Fujitsu Laboratories Ltd.)在最近举行的国际电子器件会议(IEDM)上表示,它已经研制出氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)放大器,其工作电压为63V时,输出功率达174W,据称是全球输出功率最高的GaN晶体管。
富士通表示,这...
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NDS推出智能卡芯片安全咨询与试验室服务
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新闻集团下属公司、数字付费电视技术解决方案厂商NDS最近设立SiVenture分部,为主要芯片设计制造厂商提供对芯片安全和质量的评估服务。
据了解,SiVenture拥有多年来在商业经营中形成的范围广泛的专业技术,包括智能卡芯片软硬件安全分析、...
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京公网安备 11011202001138号
