日本富士通研究所(Fujitsu Laboratories Ltd.)在最近举行的国际电子器件会议(IEDM)上表示,它已经研制出氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)放大器,其工作电压为63V时,输出功率达174W,据称是全球输出功率最高的GaN晶体管。
富士通表示,这一科技突破将使采用WCDMA技术(wideband code-division multiple access)的3G基站更小更高效。据了解,富士通已将其GaN HEMT技术用在了失真补偿电路中。这也意味着此项技术可以用在高效率的3G基站放大器上。
由富士通及其他公司开发的GaN HEMT技术运用在实际的3G通信系统中时,如要达到高效率的要求,则其输出功率必须大于150W。富士通表示它已经克服了这一困难,该公司发言人说:“富士通运用GaN HEMT技术能够在高工作电压时产生稳定的功率。并且发现当它工作电压超过50V时产生一些问题,如设备故障和输出的不稳定,是由于GaN外延层的不均匀和缺陷引起的,。”
优化的外延层极大的减少了高工作电压时输出功率和效率下降的程度。这使得工作电压为63V时,输出功率达到空前之高—174W。另外,其功率效率最大时将比原来提高54%,达到世界领先水平。
此外,富士通指出,实际中输出功率不能超过150W的问题也得到了解决。
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