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德州仪器公司最近在国际电子器件大会(IEDM)上发表了使用氮氧硅铪(HfSiON)的论文,据TI称,该论文将展示这种材料可以作为高K介电材料,用于未来晶体管的门极,尤其在电稳定性方面尤为突出。这篇论文没有确定金属门材料,但采用硅门来比较HfSiON和二氧化铪。
氮氧硅铪是硅化铪和二氧化铪的替代物,这些材料都被作为二氧化硅的替代物而加以研究。在45纳米制造工艺节点和更精细尺寸,由于泄露电流使二氧化硅如今被认为不再适合用于晶体管。
TI的一位工程师Ajit Shanware表示,“我们的研究显示,氮氧材料性能稳定,能提供十年的寿命。”研究中取得了有效的16埃氧化物厚度(EOT),材料厚度约为30埃,介电常数为12~13。TI的论文将探讨HfSiON和HfO2阈值稳定性的比较结果。据发现,HfSiON的稳定性远远优于HfO2。
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