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占空比的上限
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开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制。占空比是指导通时间(TON)与整个周期时长（关断时间(TOFF)加上导通时间）之比，定义了输入电压和输出电压之间的简单关系。
开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制。占空比是指导...
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机器学习实战：GNN(图神经网络)加速器的FPGA解决方案
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1. 概述
得益于大数据的兴起以及算力的快速提升，机器学习技术在近年取得了革命性的发展。在图像分类、语音识别、自然语言处理等机器学习任务中，数据为大小维度确定且排列有序的欧氏(Euclidean)数据。然而，越来越多的现实场景中，数...
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液体测量——从水到血液
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简介
对于许多应用而言，确定液体的成分和质量至关重要。最主要的例子是水，水是世界上最珍贵的原生资源。净水和水过滤技术在全球发挥着重要作用，是人们生活不可或缺的部分。洁净的水资源不断减少，获取洁净用水成为日益重要的话题。但...
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关键的短脉冲
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虽然占空比有最大限制，但本电源管理技巧重点探讨占空比的最小限制。
在连续导通模式(CCM)下，降压型开关稳压器（降压变换器）的占空比相当于输出电压除以输入电压。因此如果输出电压正好是输入电压的一半，对应的占空比为 50%。根据实...
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BJT电流镜
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本实验的目的是研究双极性结型晶体管(BJT)电流源或电流镜。电流源的重要特性包括：在宽顺从电压范围保持高输出阻抗、能抑制外部变化（如电源或温度）的影响。
背景知识
电流镜是一种电路模块，通过复制输出端子的电流来产生完全一样...
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利用嵌入式AI，将大数据转变为智能数据
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工业4.0应用产生大量的复杂数据——大数据。传感器和可用数据源越来越多，通常要求机器、系统和流程的虚拟视图更详细。这自然会增加在整个价值链上产生附加值的潜力。但与此同时，有关如何挖掘这种价值的问题不断出现。毕竟，用于数据处理...
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微波频率合成器提供多倍频程覆盖范围和出色的相位噪声性能
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简介
市场对更高带宽和更高数据速率的需求日益增加，系统频率和调制速率要求不断提高。随着曾经用于军事和国防领域的应用进入消费市场，低功耗变得至关重要。在满足这些要求的同时，还需要保证：不会牺牲电气性能或功能。为了满足这些要...
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不打折扣的光学集成
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光电容积脉搏波(PPG)是测量血氧饱和度(SPO2)水平的常用技术。使用光发射器向人体发射光，然后使用光接收器测量反射或未吸收的光的数量。根据两段波长的比值，可以测量氧合血红蛋白的数量。类似技术也被用于测量心率（结合光学技术）或心率...
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使用小尺寸、引脚式SOT-23薄型多路复用器克服最后时刻的需求变化
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我们都曾有过这样的经历--姗姗来迟的需求变化让你的设计陷入混乱。没有足够的时间更改设计，多路复用器的选择也少之又少。在最后关头可能面临无数的变化，但我在与设计人员合作时经常遇到的一个问题是：如何在选择了微控制器后监控增加的...
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解决电化学气体检测的技术挑战
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电化学气体传感器是一种久经验证的技术，其历史可以追溯到1950年代，当时开发了用于氧气监测的电化学传感器。这种技术的首批应用之一是葡萄糖生物传感器，用于测量葡萄糖的缺氧情况。在接下来的几十年中，该技术得到了发展，传感器变得小...
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使用PSpice® for TI仿真复杂的模拟电源和信号链电路
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人们通常期望硬件工程师能在紧迫的项目时间内交付成果。电路和系统设计人员必须使用一切工具来构建精确、可靠工作的设计方案，使其在第一次运行表现良好。为了满足这些需求，加之如今不断变化的办公环境，意味着可以在家或远程操控的电路...
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应对复杂工业电磁流量计挑战，看这款高集成度模拟IC前端如何为你的设计“减负”
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"若不能度量，则无法管理。"，计量可以称为工业生产的眼睛，流量测量的发展更是可追溯到古代的水利工程和城市供水系统：古罗马凯撒时代已采用孔板测量居民的饮用水水量；公元前1000年左右古埃及用堰法测量尼罗河的流量；我国著名的都江堰...
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单片式开关稳压器——当所有一切都集成在芯片上时
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开关稳压器可以采用单片结构，也可以通过控制器构建。在单片式开关稳压器中，各功率开关（一般是MOSFET）会集成在单个硅芯片中。
开关稳压器可以采用单片结构，也可以通过控制器构建。在单片式开关稳压器中，各功率开关（一般是MOSFET...
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高速放大器设计三大常见问题， TI 帮您攻克
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在使用高速放大器进行设计时，一定要熟悉其通用的规格并了解其特定概念。在本文中，高速放大器是指增益带宽积（GBW）大于或等于50 MHz的运算放大器（op amps），但这些概念也适用于低速器件。以下设计师在使用高速放大器时遇到的一些常见...
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iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
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大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时，近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性...
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京公网安备 11011202001138号
