安森美半导体推出首批具有近红外+(NIR +) 的高分辨率 图像传感器，以提升夜视功能

　　2018年4月10日，推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 推出首批采用近红外+(NIR +)技术的 CMOS 图像传感器，该技术有效地将高动态范围(HDR)与增强的微光性能相结合，以使能高端安防与监控相机。

　　AR0522 是一款1/2.5英寸510万像素(MP)图像传感器，基于一个2.2微米(μm)背照式(BSI)像素技术平台，专为在微光条件下需要高分辨率、高质量视频捕获的工业应用而开发。AR0522 图像传感器提供的近红外波长的灵敏度大概是现有的 AR0521 图像传感器的两倍。

　　AR0431 是一款1/3.2英寸400万像素传感器，基于一个 2.0 μm 背照式像素技术平台。它能够提供通用的低能耗模式和一个高达 120fps 的帧速率，非常适合需要慢速运动视频捕获的应用。它的低运作能耗使其成为电池供电的安防相机、动作/运动相机、车载 DVR 和一般监控相机的理想选择。

　　安森美半导体开发 NIR +技术，以提高近红外区域内传感器的量子效率(QE)，而无需牺牲可见光谱中的色彩保真度。通过这一技术，安防相机可在更低的电压下，在物料单(BOM)上使用更少的红外(IR) LED，且仍能在微光和近红外条件下实现高质量图像。

　　安森美半导体图像传感器消费方案分部副总裁兼总经理Gianluca Colli表示：“AR0522 和 AR0431 所采用的 NIR +技术和背照式像素平台真正实现了卓越的图像质量和微光性能，即使在极具挑战的光照条件下也能获得更明亮、更清晰的图像。”

供货

　　安森美半导体现提供 AR0522 工程样品，采用 12mm x 12mm mPLCC 封装，计划于2018年5月量产。

　　AR0431 的工程样品将于2018年4月推出，采用 10mm x 10mm mPLCC 封装，计划于2018年7月量产。