NTT在“2016年NTT研发论坛”上展示并演示了MEMS振子的传感器精度技术。
NTT开发出了利用GaAs的特性、极大提高采用MEMS振子的传感器精度的技术，并在“2016年NTT研发论坛”(2016年2月18～19日，日本东京都武藏野市NTT武藏野研发中心)上进行了演示。
此次的技术有利于提高检测有无分子水平微小物质及微小物质存在量的传感器精度。传感器使用利用MEMS技术形成的微小振子。振子表面贴有只吸附特定物质的膜，随着物质吸附，振子重量增加时，振子的固有频率会发生变化，传感器利用这一点进行检测。如果不在绝对零度下使用，振子的材料等所具有的热噪声会对振动产生影响，从而影响传感器的精度。
NTT采取了在MEMS振子上使用GaAs来消除热噪声的做法。GaAs具有光电转换特性，照射特定波长以下的光时，材料内会产生载流子(电子、空穴)。另一方面，还具有压电特性，加载电场时，会发生机械变形。
NTT结合了这两种特性。也就是说，形成了利用光照射产生的载流子加载电场使其发生机械变形的循环。具体就是，向MEMS振子根部照射激光，产生了抑制热噪声的变形。
此次的技术除用于MEMS振子型传感器以外，还可以作为控制MEMS极小机械运动的方法，以及在导通芯片上实现光-热-机械-电子联动电路的方法使用。今后将从现在的基础研究阶段，一边探索应用，一边实用化。
MEMS传感器
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