NXP推出无线基站多级可变增益线性放大器

      恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）今天推出BGU706x系列多级基站LNA，支持可变增益，0.9 dB的噪声系数处于硅接收链业内最低水平。架构上，该LNA集成了一款超低噪声LNA和一种旁路功能，其后是一个模拟控制可变增益放大器(VGA)。这些BGU706x低噪声放大器具有高线性度的特点，并且最多可使元件数量减少80%。

      BGU706x基站LNA的射频输入过驱高达10-15 dBm，具有突出的耐用性，采用恩智浦硅锗碳(SiGe:C) BiCMOS工艺技术制成，可为高频应用带来优秀的性能。恩智浦将于本周在加拿大蒙特利尔IMS2012国际微波会议上展示BGU705x固定增益LNA和BGU706x可变增益LNA（展位号：607）。

      “随着移动数据通信快速取代语音通信，当今的无线基础设施面临一个挑战。凭借超低的噪声系数，我们的最新多级LNA可以增大小区覆盖范围，减少所需基站数量，从而帮助运营商节省可观的资本支出和运营开支，”恩智浦半导体无线基础设施营销总监Kees Schetters说道，“通过简化设计导入，这些LNA还可帮助工程师集中精力攻克难关，使应用性能迈上新的台阶，从而获得显著的竞争优势。”

      技术要点：
      BGU706x集成多级LNA和可变增益，0.9 dB的噪声系数处于硅接收链行业的最低水平，可以增大小区覆盖范围。
      BGU706x LNA具有突出的耐用性，射频输入过驱高达10-15 dBm。这样有利于整体系统稳定性，并可以功率放大器功率的系统部分泄漏进LNA（时间双工系统的一种可能风险）时实现极佳的性能。
      另外，凭借35 dB的模拟增益控制能力和高达IP3的线性度输入（最大增益下为0.9 dBm），BGU706x系列是存在严重阻挡问题的小型小区的理想选择。
      恩智浦的集成模式可以显著减小整体LNA面积和物料成本(BoM)，减少80%的元件——在采用一个6通道接收器、服务于3个区域并具有2Rx多样性的典型实现中，可使元件数量从360个减少至40个。

      BGU706x LNA使整体系统功耗达到最佳状态，与其他供应商的解决方案相比，功耗大约降低了30%。该系列LNA的散热量较小，可以有效防止噪声系数和可靠性下降，从而延长使用寿命。
      新型集成型BGU706x器件对恩智浦现有BGU705x系列形成了良好的补充。借助20 dBm的射频输入功率过驱能力和高ESD保护能力（HBM 4 kV；CDM 2 kV），这些器件非常耐用，能够满足苛刻的功率需求，最大功率增益高达37.5 dB，功耗水平则非常低（65 – 90 mA）。

      产品和上市时间
      BGU7063 和BGU705x 系列LNA即将上市。BGU7060、BGU7061、BUG7062将于2012年7月上市。

      可变增益的集成式多级LNA的频率范围：
      BGU7060：700MHz – 800MHz
      BGU7061：800MHz – 950MHz
      BGU7062：1710MHz – 1785MHz
      BGU7063：1920MHz – 1980MHz

      固定增益型LNA的频率范围：
      BGU7051：500MHz – 1500MHz
      BGU7052：1500MHz – 2500MHz
      BGU7053：2300MHz – 2800MHz