无掩膜光刻(Maskless lithography)是降低光掩膜不断成本飞升问题的一个潜在解决方案。但日前参加由International Sematech举办的一个会议的技术专家指出,现有的(无掩膜光刻)工具技术问世不久,总体产出率仍然低下。
此次会议旨在识别并评估无掩膜光刻领域有前途的候选技术。尽管演示包括许多单束、多束及光学方法,大多数人的意见认为,近期看来,无掩膜可能只是一个利基(细分)技术,而不能用于替代主流方法,如光沉浸和甚超紫外线光刻技术。
“面向前沿光刻应用的掩膜集的开发成本正成为许多IC制造商日益关注的问题。”Internaitonal Sematech高级院士和研讨会组织者Walt Trybula表示,“很明显,无掩膜光刻是解决掩膜成本问题的潜在方案。”
此次会议确定了基于O-ML2和CP-ML2的无掩膜技术所面临的几大技术挑战:电子束校正；晶圆上的像素验证和检查；与光刻工艺的兼容性；以及影响关键尺寸和覆盖的重合误差。
对于电荷微粒无掩膜存在的特殊问题有:电子束电流与产出率的折衷和可延展性；电子束稳定性/可靠性,及源稳定性/腐蚀剂精确度/射入噪音。对于光掩膜,存在的问题包括:激光要求、分辨率可延展性和调制器。
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