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Atmel日前宣布扩张代工业务,推出高电压技术及硅锗(SiGe)工艺的新版本。
Atmel表示,其代工业务目前已可提供基于BCD-on-SOI的高电压技术。新工艺名为SMARTIS,整合了双极型、CMOS及DMOS技术。该技术能同时处理模拟及数字功率,能制造出集成功率驱动器及小型微控制器内核的单片器件。这些所谓的智能功率器件适用于汽车、电信、工业和消费电子等广泛领域。
据Atmel称,SMARTIS技术的好处包括:与其它技术相比芯片尺寸显著减小、EMC特性得到改进、待机电流减少及锁存效应。SMARTIS基于20层掩膜工艺,80V崩溃电压。平均门密度为4000门/平方毫米,非常适合用于系统级芯片设计。
Atmel 还发布了命名为SiGe2-Power的0.5微米SiGe HBT双极型半导体技术。 该技术支持同时使用两种晶体管类型,开关速度为35/45GHz截止频率,功率增益下90GHz截止频率,崩溃电压为6/4V。针对SiGe2-Power的新型3层金属系统得到优化适合于高电流密度。
SiGe2-Power技术的初始版本目前已可供应,完整的设计套件将于2003年12月上市。
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