高密度嵌入式存储器存供货商MoSys公司与中芯国际最近共同宣布,MoSys公司的1T-SRAM-R技术(含Transparent Error Correction)成功通过中芯国际0.13微米工艺验证。
“MoSys的0.13微米高密度1T-SRAM-R存储器通过中芯国际的硅验证,这可以给我们的客户提供通过中芯国际0.18及0.13微米逻辑工艺验证的特别存储器技术。”中芯国际市场销售部副总宋建迈说。“通过TEL 1T-SRAM-R不仅可以使我们的客户节省额外的产品开支,还能显著地减少设计风险并且使用MoSys的内存可以帮助客户提高复杂的SoC设计能力。”
“通过内置的透明纠错,在增加产量,减少出错率(SER)和提高可靠性时,我们的1T-SRAM-R嵌入式存储器技术还展示了其独特的可伸缩性和可移植性,”MoSys的总裁兼首席执行长Fu-Chieh Hsu说。“MoSys的1T-SRAM-R存储器以高的良率通过了中芯国际硅验证的逻辑工艺,为他们的客户提供高密度的0.13微米存储器技术,还能通过消除激光修补过程使得生产流程简化。”
据悉,1T-SRAM-Q技术的宏密度为每百万比特大约1.2平方毫米,包括的差错检测技术可以免除激光修复和软错误的问题。
Mosys还表示,1T-SRAM-R也通过了新加坡晶圆代工厂特许半导体0.13微米工艺验证。Mosys公司和特许半导体正在90纳米工艺平台上验证T-SRAM-R技术,该90纳米工艺平台由特许半导体和IBM联合开发。
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