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传感器

碳纳米管发现光电伏打效应,将用于太阳能电池开发

  2005年08月31日  

美国通用电气旗下的全球研究中心日前透露,已经研制出用于开发更廉价的太阳能电池的碳纳米管二极管。这项成果是在该中心去年研制出的的纳米管二极管的基础上改进而成的。

GE公司纳米技术高级技术负责人Margaret Blohm认为,GE成功地开发出完美的碳纳米管不仅开创了电子领域的新纪元,还给太阳能研究打开了一扇新的大门。该公司在碳纳米管中发现的光电伏打效应(photovoltaic effect),将带来太阳能电池研究的突破,使其成为主流能源市场更有效、更可靠的替代品。

与传统的二极管不同,GE的碳纳米管具有二极管和两种不同类型的晶体管的多种功能,使其能够发光和检测光线。传统的二极管由P型和N型半导体材料组成。GE的二极管使用静电掺杂技术,利用耦合到一个碳纳米管的两部分的两个单独的闸极组成,通过给两个闸极分别施加负偏压和正偏压形成P-N接。

GE的科学家法通过研究光电伏打效应发现,尽管比光波小一千倍,这种碳纳米管二极管具有很高的能量转化效率。该项发现是GE公司Ecomagination项目的组成部分,该公司已经决定今后五年对新技术开发的投资将从7亿美元增加到15亿美元。GE全球研究中心的光电伏打项目将研究如何更便宜更有效地从太阳光生成能源。


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