美国NexFlash科技公司推出其高密度串行闪存系列的第一款产品。这类产品正迅速被业界接受,因为它可增强智能控制器在程序引导时将代码从串行闪存传送到更高速RAM中的能力。
串行闪存原本用于数字相机和录音设备中的低端数据存储,NexFlash及其竞争对手正在把它拓展到要求更高密度和更快速度性能的代码存储应用领域。
NexFlash名为spiFlash的33 MHz器件采用串行外设接口(SPI),能在31毫秒内从引导区上传1Mb的代码到SRAM、DRAM或伪静态RAM上。这些器件可与很多采用SPI接口的微控制器和ASIC芯片配合使用。SPI接口的四个针脚分别是时钟、片选、数据输入和数据输出。
spiFlash将采用台湾地区的华邦电子公司的0.18微米工艺进行生产,密度范围从1Mb到64Mb。华邦持有NexFlash公司53%的股份。
串行闪存器件比并行闪存的体积小,引脚也少很多。NexFlash公司营销副总裁Robin Jigour介绍说,spiFlash只有8个引脚,而具有相同密度的并行闪存器件有28到44个引脚。因为面积小、封装费用更低,串行器件的成本相对也更低廉,1Mb和2Mb的spiFlash价格定在1美元以下。4Mb的器件将在今年年底推出,而更高密度器件的推出要等到明年。
市场调研公司Web-Feet的总裁Alan Niebel指出,NexFlash几乎从十年前就把主要精力放在串行闪存市场上了。华邦两年前获得NexFlash公司股权以来,为它带来了更加先进的制造能力。
“串行闪存虽然一直是个小细分市场,但是我们看到,这些年它也一直在不断增长,”Niebel说,“硬盘驱动器的设计者们已经解决怎样使用串行闪存上传协议、识别坏扇区以及通过SPI接口启动引导序列等问题。所以DVD播放器和驱动器采用串行闪存也是一件很自然的事情。”
ADSL和线缆调制解调器、图形卡、音频设备、打印机、无线局域网和工业设备也开始使用串行闪存,他补充说。
根据Web-Feet的估测,意法半导体和 Atmel公司是串行闪存业中的两大巨头,而Silicon Storage Technology公司在亚洲和日本有一些市场份额。台湾地区的Mycomp公司和YMC公司也正以竞争者的身份进入串行闪存市场。
凭借新设计的器件和华邦稳固的资源支持,再加上一支充分理解客户需求的工程设计队伍, NexFlash应该能抢占一部分市场份额,Niebel说。不过,他预计“更强大的公司将继续占据市场主导。”
NexFlash总裁Tom Liao表示,华邦和夏普公司已在与NexFlash展开合作,定义更先进的0.18微米和0.13微米工艺技术,这些技术将于明年投入使用。64Mb的spiFlash最初会采用0.18微米工艺制造,不过等到0.13微米工艺准备就绪之后,NexFlash会将其用于更高密度的产品。
如果NexFlash要在SOIC、MLF、QFP和无引脚封装芯片方面实现更高密度的器件,它就需要新的工艺技术。所有的spiFlash器件都使用相同的封装技术,而且能互相替代。
Niebel说不断加剧的竞争造成了串行闪存价格上的竞争,一个4Mb器件的平均价格现在仅为96美分,而64Mb器件的价格为5.15美元。
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