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传感器

微调45纳米工艺,台积电公布40纳米工艺蓝图

  2008年03月26日  
台积电日前披露了其第一个40纳米生产工艺技术,并称之为“半节点”(half node ),并且表示将在未来三个月内用这种技术生产出第一批晶圆产品。

40纳米技术是芯片厂商对以前的45纳米工艺技术进行微调的结果。这个工艺把浸没式光刻技术和极低功率的材料结合在了一起。台积电称,这种工艺将生产出目前市场上尺寸最小的SRAM芯片单元,芯片尺寸可缩小到0.242平方微米。台积电称,通过从45纳米向40纳米的过渡,电源消耗将减少15%。此外,新的40纳米节点显然能够让LP芯片和G芯片提供比65纳米工艺高2.35倍的芯片闸密度。

台积电表示,新的40LP工艺芯片将用于低功率的敏感型应用,如便携式设备和无线设备。40G工艺的芯片将用于处理器、图形处理器、游戏机、网络和FPGA设计以及大量的其它消费电子产品中。

40G芯片和40LP芯片将在台积电的12英寸晶圆工厂生产。


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