欧洲宣布取得EUV技术突破,可实现50nm“光罩基底检查”

通过联合攻关,由欧洲委员会资助从事极端远紫外光刻工艺(EUVL)开发的More Moore项目组的三家合作方,已经创造了一种能够对样品不产生破坏作用的、测量小到20nm的特征尺寸的光致电子显微镜。这三家合作方分别是仪器制造商Focus GmbH和Bielefeld大学和Mainz大学。

该小组鉴别了埋藏在光罩基底(mask blank)多层被覆下面的50nm缺陷。在EUVL中,“光罩基底检查”需要保持样品在检查过程中完整无缺。该小组说,迄今为止,还没有人能够做到这一点。常见的方法如扫描电显微镜不能识别隐藏在EUVL光罩基底的多层被覆下面的缺陷。 因而三个合作方表示,他们的进展是“EUV技术迈出的重要一步”。

欧洲委员会资助More Moore项目三年,共计2325万欧元,预计2006年底结束。

该项目由ASML领导,其目标是解决EUVL的技术问题,以便该技术能够被及时地引入到量产之中。介入此项目的其它公司包括:Phystex、Zeiss、AMTC、Philips EUV、Xtreme Technologies、SIGMA-C、AZ Electronic Materials、Schott Lithotec和Philips；参与项目的学术和研究机构包括:Imec、CEA Leti、CNRS、TNO、Fraunhofer研究所以及Bielefeld、Mainz、Delft和Birmingham大学。

去年底,Xtreme Technologies表示,它已经在提高EUV光源的功率输出中超越了项目规定的目标要求。这家德国公司声称,它开发了一种800W的EUV光源；开始时他们用大约120W的光源做了原理实验。对于在量产中使用的EUV,输出功率到2010年必须达到大约1000W。这个EUV光源也是More Moore项目的组成部分。