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意法半导体公司宣称,其早先发布的光发射硅技术功率输出因子为50,应该能够在六个月内用于制造光耦合器。
硅具备检测光的能力早为人知,这种材料已被成功用于制造分立传感器、电荷耦合器件阵列及作为照相机芯片的光电二极管。但由于带隙(band-gap)问题,硅无法成为自然发光源,光发射一直以来成为化合物半导体的天下。
然而,随着硅制成的纳米结构、纳米薄膜及所使用的掺杂剂对带隙产生影响,许多关于光发射硅的研究论文纷纷发表。2002年,ST表示已达到光发射效率,首次能与更为昂贵的化合物半导体相媲美,大批量制造时更具成本优势。
ST的光发射硅基于在硅氧化物(SRO)层如二氧化硅掺杂1或2纳米直径大小的纳晶上,植入稀土金属如铒或铈的离子。因此,ST如今能够制造每平方毫米硅超过1豪瓦的发射光功率。
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