藉高带宽和低延时,RLDRAM欲取代SRAM

作者:孙昌旭

在现有的网络设备和通信设备中,SRAM是主要的存储器件,但是随着网络的速度不断提升和对实时性要求的加强,SRAM已不能满足网络设备的需求。针对此种情况,美光和英飞凌合作共同开发了一种称为延时减小动态随机访问存储器(RLDRAM)的新型存储器,它具有更高的密度、更高的带带、更低的延时以及与SRAM相似的接口。
Miguel Barvo:RLDRAM延时仅为15-20ns,速度达533MHz,迎合了新一代网络设备的需求。

在此次IIC展上,美光展示了这种先进的存储器件——RLDRAM-II。该公司策略市场经理Miguel Barvo解释:“由于采用了一种独特的内部存储架构,RLDRAM允许超快的随机访问,将会缩小DRAM与SRAM之间的间隙。”

他表示,美光此次展示的RLDRAM-II密度为288Mb和576Mb两种,其延时仅为15-20ns,而传统的SRAM延时超过40ns。RLDRAM还具有非常高的速度,在系统频为400Mhz时速率800Mbps,在533Mhz时甚至达1067Mbps,可提供28.8Gbps的吞吐量,采用了36bit接口。“此外,我们的RLDRAM采用了可编程的BL2、BL4以及BL8总线,非常灵活,并集成ECC功能。因此,该存储器最适合用于路由器、交换机、带L3缓存的高端服务等高速网络应用。”他称。同时他也补充说,新一代的消费电子产品如HDTV和投影仪也是RSDRAM的目标应用。

RLDRAM-II采用144-ball FBGA 11mm×18.5mm封装方式,提供高速数据传输性能的同时也保证了升级的方便。还有一点是,因为它是由英飞凌与美光联合开发,所以不存在独家供货问题,保证了供货渠道的多元化和良好的兼容特性。

RLDRAM已被网络和通信厂商采用。Xilinx和Altera都有针对RLDRAM与FPGA互连的开发工具。