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传感器

Virage嵌入式内存技术通过联电工艺验证

  2005年03月11日  

台湾联华电子(UMC)与半导体IP平台供应商Virage Logic日前宣布,Virage Logic的非易失性电子可修改(NOVeA)嵌入式内存,已可使用联电0.18微米CMOS逻辑工艺生产。

NOVeA据称是业界第一款为商业用途所提供、无须任何额外光罩或工艺步骤、可在标准0.18微米CMOS逻辑工艺提供的系统嵌入式可改编非易失性内存。联电已完成Virage Logic非易失性内存在其0.18微米工艺上的验证,以提供符合成本效益的嵌入式非易失性内存,给需要安全、加密、产品识别、模拟修整与硅修复等特性的客户。

联华电子将通过Gold IP方案提供NOVeA。在Gold IP方案中,联华电子依照对于个别IP的整合与经验,将IP分类为铜至金等级。NOVeA达到了目前现有最高等级的金级,代表了此IP已经于联华电子进入量产。

现在联华电子将提供NOVeA给其晶圆代工客户,用于其系统级芯片上。NOVeA RAM具有快速的10纳秒存取时间,与10年数据保存期。与传统嵌入式闪存不同的是,NOVeA不需要额外工艺步骤与光罩,因而降低了制造成本与交货时间。亚微米NOVeA技术可协助联华电子的客户减少系统大小,降低耗电,并提升性能与安全性。


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