图1:美光科技近日宣布,目前已能提供DDR3同步DRAM样片,此举使其在新的一年跻身到了为新一代存储器提供样片或开始量产的供应商行列。供应商们认为,工程师们首先会在图形硬件和计算机系统中使用该存储器,而随后则是消费电子应用。DDR3芯片支持1,600Mbps的数据率,是DDR2 DRAM的两倍；其工作电压为1.5V,而DDR2为1.8V。据悉,英特尔芯片组将于2007年中期支持DDR3,此举必将为该市场注入活力。从位密度出货量来看,虽然2006年DDR2存储器超过了DDR DRAM,但DDR3有望在今年反超DDR2。根据iSuppli的预测,到2010年,DDR3的出货量一定会胜过DDR2。
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图2: 有专家预测,在2009年,整个DRAM市场乃至全球半导体市场都会出现下滑,在这种情况下,DDR3 DRAM的出货量和收益却有望出现强势增长。但是,这并不意味着DDR3没有竞争对手。目前,NAND闪存仍然倍受设计师青睐,而存储器供应商也为保证其生产开足了马力。2006年,NAND的单位出货量将超过DRAM。但是,我们有望看到DRAM收入的稳步增长,在今后几年内,DRAM势必将保持存储器收入的领先地位,之所以这样,主要源于手机和运行Windows Vista的PC等消费产品的带动。
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