Applied为300mm电镀平台提供了更好的清洗和沉积性能

Applied Materials公司近日推出三种新产品,为300mm电镀平台提供了更好的清洗和沉积性能。

Applied推出的新型和升级版Endura iLB II电镀机,要连接到代工厂的一体化线性和扩散阻障层(barrier)芯片处理设备。利用该公司的Endura平台,该工具目前结合了新的预清洗工艺和改良的物理层沉积能力,满足了先进芯片设计中对Ti(钛)材料处理的需求。

据称,它把关键接触结构中的电阻最高减小了40%,该系统新颖的、基于PVD的eSIP腔能够在晶圆上沉积出一致的Ti金属层；与过去的系统相比,底层覆盖率增加了30%。

在工具上的新型“Siconi Preclean”腔为成品率至关重要的晶体管和接触界面提供了经过改良的表面处理工艺,Applied Materials公司Thin Films Group的高级副总裁兼总经理Farhad Moghadam表示。

Applied还推出了增强版Endura CuBS(铜扩散阻障层/种子)系统,其中配备了新型Aktiv Preclean腔,使45nm以下的铜互连和低k互连成为可能。除了从互连清除聚合体的渣滓和氧化铜之外,Aktiv Preclean腔能保持超低k介质的完整性；与过去的反应预清洗工艺相比,RC延迟最高改善了10%,Applied公司介绍说。

Aktiv Preclean腔的设计减少了缺陷,在维护周期期间能够处理最多30,000块晶圆,比反应型预清洗腔的处理速度提高了3倍。

此外,Applied还推出了Applied Producer APF-e系统,它能够在70nm以下的闪存及DRAM存储器器件、和45nm以下的逻辑应用器件上沉积先进的图膜(patterning film)。APF-e薄膜的、有成效的硬掩模工艺技术对多晶硅和氧化物具有高选择性,从而使连续几何缩放中关键的蚀刻图工艺步骤成为可能。

Applied的APF-e薄膜对多晶硅(6:1)和氧蚀刻(15:1)具有高识别性,只要与光阻有关的方案结合起来,就可以消除布线边沿的粗糙形状。APF-e工艺还消除了昂贵的、需要多层光阻处理的湿清洗步骤。