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意法半导体(ST)宣布该公司已成功采用CMOS 45nm射频(RF)工艺技术制造出第一批功能元件(funcational device)；该公司预期这项尖端技术将有助于下一代WLAN应用产品。
这些原型系统芯片(SoC)是采用300mm晶圆在ST法国Crolles厂制造的,整合了从检测RF信号,到输出用于作信号处理的数字资料的全功能链。这些原型系统芯片具有先进的性能和高的密度(在0.45mm2的面积内整合了低噪音放大器、混频器、模拟数字转换器和滤波器,可工作在1.1V)。
ST的成就归功于其开发CMOS RF衍生技术,以及强化其采用45nm和32nm技术节点制造单芯片行动解决方案能力的公司策略。此成就还可归功于ST先进的45nm CMOS RF衍生技术与其领先全球的RF设计、模拟和特征分析的专业能力。
该衍生技术是在标准CMOS核心技术平台作独家技术修正(proprietary modifications),进而为特定应用领域提供附加功能。ST的模拟/射频衍生技术可将电阻、电容和电感等被动元件与高性能、高密度的数字逻辑功能元件整合在一起。
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