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在经过5年的研发后,Micromem Technologies公司(MMT)日前宣布,该公司用于射频识别芯片RFID的MRAM(磁阻随机存取存储器)芯片已经接近生产阶段。
MMT公司顾问Cynthia Kuper声称,MMT已具备设计和制造MRAM存储器单元的能力,Micromem公司研发团队计划开发96位存储阵列,目标瞄准RFID市场的新应用。
早在1999年,MMT公司就宣称成功试制出MRAM产品,但该公司从未开始商用产品的生产。然而,MMT看来似乎向前迈出了重要的一步。Kuper表示,MMT当前的技术在微米级规模,并将更进一步减少,以便单元密度更加紧凑。另外,他表示MMT已解决了某些与存储有关的关键瓶颈问题,包括干扰和材料疲劳。
其他厂商也在争相投入MRAM技术的研发,由前摩托罗拉半导体部门独立出来的Freescale半导体公司,已推出标准的4Mb MRAM产品。根据Freescale表示,该公司已经向部分客户发布了MRAM样片。
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