以色列Saifun Semiconductor公司日前开发出一款采用SO-8封装的2Mb串行EEPROM存储器。该公司声称,这是业界首例基于其每存储单元2位的专利技术产品,比竞争对手的EEPROM技术密度高出4倍。Saifun表示,其2Mb串行EEPROM适用于消费电子、计算机和通信设备市场中受空间条件限制的设计。
SA25C020由Macronix为Saifun制造,采用0.25μm加工工艺技术,并能够以1μA的低旁路电流运行在高达25-MHz的时钟频率。Saifun还计划推出基于同一非易失性存储专利技术的4Mb和16Mb串行EEPROM。
Saifun Semiconductors产品营销主管Dev Nair表示:“尽管许多公司购买并行存储器,并不是许多应用需要带宽,而且这使得封装更加昂贵,90%的应用不需要[并行]带宽。”Nair接着说,“我们的目标是为了满足今天对价格合理的高密度EEPROM和串行闪存的市场需求,以及未来为我们选定的市场开发增值产品,如与具体应用相关的标准产品。”
Saifun应用部经理Bryan Hancock表示:“许多公司转向闪存的原因是因为大多数公司的EEPROM每位需要2个晶体管,与闪存相比在晶圆面积上欠优。但Saifun的EEPROM每存储单元有2位,密度提高了近四倍。我们只是闪存密度的20～30%,而且EEPROM的扇区擦除使它在编程方面比闪存容易得多。”
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