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RTI International研究人员开发出一种平台技术,用于将多层硅集成到三维IC内。新技术基于高性能红外焦点平面阵列检测器,承诺大幅度增强传感器和执行器器件的片上信号处理能力,且纵横比高。RTI International的研究人员在国际电子器件大会上展示了他们的成果。
这种高密度三维集成技术采用后端电路先行的方法,兼容标准体CMOS IC晶圆。用这种方法,硅IC层堆迭和垂直内连所采用的所有工艺都可在小于200摄氏度的低温下进行。单个器件层的邦定可任由裸片到裸片或裸片到晶圆配置来完成,从而保证仅有已知的完好无缺的裸片被加工。
不同层的IC通过3D互连(蚀刻过的绝缘和金属化通孔)进行通信。该技术潜在应用包括高性能焦点平面检测器阵列。测试芯片显示,3-D 256 x 256阵列达到了97.5%的工作水平。这表明3D互连能传递光子来响应检测器像素,互操作性强,不引入额外噪音。
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