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莱智科技日前推出专为提升纳米电路仿真精确度的MSIM电路仿真器,并通过美国伯克力加州大学发表的BSIM4.5.0模型检测,证明MSIM电路仿真器能为其提供完整模型化支持。
BSIM4.5.0模型相对先前的BSIM4.4.0.,具备更多新性能。其中最具特色的即是强化的邻近效应,可使包含Vt与U0等组件参数,随着植入光罩边缘的距离变动。
伯克力加州大学BSIM团队表示发现,新版4.5.0模型包含库伦散射效应及信道长度变动效应的迁移率模型、可随信道长度与宽度向量缩放的基极电阻模型、可被定义为对象参数的门极电阻参数、设定门槛电压变异区间用的新参数,以及优化的模型参数温度系数。
为支持BSIM4.5.0版本,莱智科技的MSIM工具已强化升级,并可支持新模型相关新增电子机制、模型参数与方程式。莱智科技表示,MSIM工具已通过各项必要的验证,包含伯克力加州大学所提供标准电路的直流分析、瞬时分析、交流分析等数据。
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