莱智科技股份有限公司近日宣布,Sequence设计公司已采用其MSIM电路仿真器,针对应用于功率与混合信号分析的标准器件,进行精确度验证。
据称,MSIM是以反矩阵为基础,具备最佳算法与广泛模型支持的电路仿真器。与现在的Spice仿真器相比,MSIM的运算速度高出1到4倍,精确度偏差则小于1%。MSIM适用于晶圆厂的各式器件模型,包括BSIM3、BSIM4和SOI等等。尤其对90纳米工艺而言,还包含加强疲乏效应或扩散长度模型化的BSIM4模型,以及对降低漏电功率的改善。另外,应用于BSIM4.3.0的MSIM电路仿真器,已被证实可以验证采用90纳米工艺设计的产品。
Sequence设计公司的研发及产品销售高级副总裁Susheel Chandra表示:“通过MSIM电路仿真器检测的标准器件函数库,可帮助提升功率与混合信号分析的质量。同时,借助MSIM高速仿真,也可以帮助我们提升产品生产力。我们期望通过与莱智科技的持续合作,为客户提供高质量的模型与设计工具。”
Sequence计划集成莱智科技的MSIM电路仿真器,与本身已有的电子模型工具ElMo,提供客户针对标准器件的实时电流、递减电压时裎,短时脉冲波干扰,进行特性化分析。
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