ST敲定与Hynix在无锡建厂,专门制造DRAM与NAND闪存

意法半导体(ST)与韩国现代半导体(Hynix)日前宣布双方签署了在中国江苏省无锡市合资建立一家存储器前端制造厂的合资企业协议书。新的晶圆厂将专门用于制造DRAM和NAND闪存,以助于现代半导体DRAM业务的稳定增长,而意法半导体公司可通过该厂建立其NAND闪存的产能。

该晶圆制造厂以及超过18,000平米的洁净厂房配套设施计划2005年年初开始建设,竣工后,合资企业将雇用大约1500名员工,运营初期将装配两条先进技术的生产线,其中8英寸晶圆生产线拟定于2006年开始量产,而12英寸生产线将从2007年开始量产,每条生产线的月产能为20000片。

目前中国市场占世界半导体市场的14%,在2003年到2008年期间,中国市场的年复合增长率预计会达到20%以上；而对于ST来说,在中国市场的销售收入已达到15亿美元。因为丰富的闪存产品组合(其中包括1GB的NAND闪存IC),ST存储器IC在中国的销售额正在快速增长,特别是在电信市场增长最快。Hynix在中国的销售额也占据了该公司全球销售的一大部分。

意法半导体公司副总裁兼存储器产品总经理Carlo Bozotti评价:“这个世界一流的晶圆制造厂使ST成为了一个完整的解决方案提供商,特别是在电信和消费电子产品市场上,因为我们能够提供存储器、多媒体处理器和单片封装的系统级解决方案。我们不仅能够提供复杂的系统级芯片和专用的解决方案,还能向范围更广泛的客户群提供先进的成本低廉的大批量产品。”

现代半导体有限公司的董事长兼首席执行官Eui-Jei Woo先生对双方的合作这样评价:“Hynix的产品组合包括高性能服务器使用的主存储器、图形显示存储器、移动设备存储器、消费应用存储器和NAND闪存。通过在中国建厂,使产品组合多样化,Hynix计划扩大并巩固公司在存储器市场的领导地位。”

Hynix还表示,这个合资企业将会加强Hynix的市场竞争力,因为它将能够获得300mm的制造设施,能够维护在中国市场的领导地位,解决存在及潜在的贸易问题。新的晶圆制造厂将确保ST在新的设计中能够使用具有成本竞争力的DRAM产品及技术,并满足特殊客户的生产需求。

这个项目的拟定投资额20亿美元,合资双方共同筹措资金(Hynix 67%, ST 33%),其中ST拥有2.5亿美元的长期债权,中国政府部门和当地银行将为合资企业提供组合融资,其中包括债务和长期租赁。ST和Hynix正在办理必要的政府审批手续和组合融资事宜。2005年,ST和Hynix的直接投资预计会达到大约3.75亿美元,按1/3和2/3的比例注入资金。