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在硅片上培植(grow)碳纳米管有望实现纳米级晶体管,但这只有在设计师能精确确定微小器件生长的位置的情况下才能实现。美国Case Western Reserve大学的工程师们日前论证了如何准确按设计师意愿培植纳米管——在晶圆上自行对准(self-aligned)。
研究人员还报告称培植期间纳米管可自我融接(self-welding),并声称他们可培植纳米管(nanotube-enabled)的晶圆只需被切割成方片,并用线邦定到芯片承载器(chip carrier)。这将使它们与现有芯片一样可靠并具成本效益。
Case Western Reserve大学电气工程系教授Massood Tabib-Azar表示:“自我融接是真正的重大突破。它们从一处生长到另一处,当相互接触后就把自己进行融接。”
接下来,研究人员计划构建基于超敏感纳米管的传感器芯片用于检测气体。所培植的多层碳纳米管具有P型传导率,当暴露在氨气或盐酸气时,流过的电流减少,从而打开了气体传感器芯片的应用大门。
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