ST Hynix在华谱写闪存叠装技术续曲, 晶圆制造“巨无霸”出炉

2006年10月13日

作者:王彦

意法半导体(ST)与韩国Hynix半导体(Hynix)近日宣布,由两家公司共同出资、投资总额高达20亿美元的存储器芯片合资项目Hynix-ST(Hynix-ST)半导体有限公司近日在无锡正式开业。据称,这是中国目前最大的晶圆制造项目。

这个技术先进的新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片,该合资公司是Hynix与ST成功合作的结晶。合资双方将获得规模经济带来的巨大的经济效益,将能提前进入飞速增长的中国市场,在制造工艺和产品开发上实现优势互补。无锡晶圆制造厂将加快ST在NAND闪存市场的前进步伐,同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的具有成本竞争力的DRAM芯片。

两家公司于2005年4月为新工厂举行了奠基仪式,工厂占地面积550,000平方米,无尘洁净室达到20,000平方米,8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工艺,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产, 80nm晶圆在12英寸生产线上生产。明年年中,两条生产线除生产现有的DRAM外,还将开始生产工艺先进的NAND闪存。在产能方面,8英寸生产线预计月产晶圆 50,000片,12英寸生产线的月产量将达到18,000片晶圆。双方将根据市场情况分配产品和存储器密度。

“无锡晶圆厂的建成将加快ST在NAND市场的前进步伐,并同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的具有成本竞争力的DRAM芯片。” ST总裁兼首席执行官Carlo Bozotti指出,“双方将在技术上实现优势互补:ST将能够获得具有成本竞争力的DRAM产品,同时与Hynix合作开发NAND产品将进一步加强我们在封装级集成市场的领先地位——在同一个封装内叠装多个存储器芯片。利用这项技术,不仅可以提高存储器的密度以及设备的可靠性,同时还能大大节省手机等消费电子以及工业应用的电路板空间。”

新工厂将有助于扩大Hynix的12英寸生产线的产能,加强其在全球增长速度最快的中国半导体市场上的领先地位。Hynix的DRAM目前在中国的销售量居第一位,据最新的iSupply资料显示,市场份额约为47%。

“如何满足中国市场的巨大需求一直是我们考虑的重点,在当地建立工厂是解决问题的关键。” Hynix半导体公司董事长兼首席执行官禹义济表示,“今后,Hynix在中国市场销售的存储器将主要在无锡制造。”他还指出,由于无锡是自由出口加工区,新工厂还会作为除了美国尤金的另外一个全球制造基地。至此,Hynix的全球布局已增加到5处。而除了无锡工厂,台湾茂德科技以及位于韩国利川工厂也都有一条12英寸的生产线。毫无疑问,这将有助于扩大Hynix在12英寸生产线上的产能,进一步确立其在中国市场的领导地位。

“无锡工厂刚刚竣工,我们首要的任务是实现稳定的产量和产品合格率。至于有无扩大投资的计划,我们将会根据具体需求在必要时同ST通过协议或者谈判来决定。”禹义济说。