顺应市场需求,ARM、TSMC牵手65nm与45nm技术物理IP

ARM公司和台湾积体电路制造股份有限公司日前签署协议,把公司的长期合作关系扩展至开发一套全新的ARM Advantage产品,该产品是Artisan物理IP系列产品的一部分,用来支持TSMC的65纳米和45纳米工艺。通过该协议,用户可以从ARM Access Library Program获得针对TSMC的ARM Advantage产品。

ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表现,满足消费电子、通信和网络市场众多应用的需求。Advantage标准单元包括功耗管理工具包,实现动态和漏泄功耗节省技术,例如时钟门控、多电压分离和电能门控等。它还提供五个Advantage存储编译器,提供相似的高级功耗节省特性。该产品套件在扩展了的电压范围内对时钟和功耗作了特殊设置,使得设计师可以完成多电压设计的精确模拟。此外,ARM还将发布TSMC Nexsys I/O产品,从而提供完整的物理IP。

Advantage IP包含了ARM广泛的views和模型集,提供了与众多业界领先的EDA工具的整合。这些views在广泛的运行条件下可以为Advantage产品提供功能、时钟和功耗信息,使得设计师可以在SoC中实现能够积极控制动态和漏泄功耗的复杂功耗管理系统。

TSMC 65纳米技术的成功是建立在其业界领先的0.13微米和90纳米技术的基础上。TSMC预计2006年65纳米产品将会有一个爆发式的增长。公司每2个月会启动65纳米的原型验证试验线,帮助客户和EDA、IP和库供应商就他们的尖端设计进行原型试验和验证。

TSMC 65纳米NexsysSM技术是其同时采用了铜互连和low-k绝缘技术的第三代半导体工艺。它是一个9层金属工艺,核电压1.0或1.2伏,I/O电压1.8,2.5或3.3伏。与TSMC现有的90nm Nexsys工艺相比,这项新工艺技术可以将使标准单元门的密度翻倍。它同时还有很具竞争力的六晶体静态随机存取记忆体(6T SRAM)和单晶体嵌入式静态随机存取记忆体(1T embedded DRAM)这两种存储单元尺寸。此外,该技术还包括支持模拟和无线设计的混合信号和无线电频率功能,支持逻辑和存储整合的嵌入式高密度存储,以及支持客户加密需求的电子保险丝选项功能。