SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor Inc.)推出第一颗满足802.11n标准草案的RF前端器件,在10mmx14mm的面积内该器件集成了两个双频段发射/接收链路。SiGe无线数据产品总监Andrew Parolin介绍说, 制造商期待它比802.11b/g所用RF器件的占位空间还要小,尽管新的802.11n 标准是第一个采用多输入多输出(MIMO)的Wi-Fi架构。
虽然RF器件不须支持MIMO调制,但是支持四个独立链路(2x2.4GHz发送和2x5GHz发送；2x2.4GHz接收和2x5GHz接收)的要求却是一个困难的任务,特别是考虑到制造商推动使MIMO端点保持小外形尺寸的情况下。
该公司表示,SE2545A10可替换最多60个元件,所提供的输出功率为+18dBm/802.11b模式、+17dBm/802.11g模式和+15dBm/802.11a模式。每一个频段都配备了功率检测器,每一个发射链路的动态范围是20dBm。
SiGe半导体公司的芯片集成了双工器、发射/接收开关、2.4和5GHz功率放大器及陷波滤波器,具有数字功率使能控制,任一频段都不需要参考电压。所有RF端口都严格匹配到50欧姆。
Parolin表示,SiGe半导体公司不得不采取攻势降低价格,因为802.11n取代802.11g的时间可能要提前。为此,该公司已经开始针对热点应用提供功率更大的第二颗芯片SE2545A30。
A10前端支持2x2天线配置,对4x4 天线配置可以用两个A10。对于特殊的3x3配置,SiGe将提供专用的单链路版RF前端器件。
A10采用栅格阵列封装,购买量为1万片时单价为6.95美元。
作者: 卫玲
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