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传感器

Mosaid引领技术,首个65纳米内存控制器IP出炉

  2007年02月01日  

知识产权(IP)提供商Mosaid Technologies公司近日推出业界首套采用65纳米工艺技术的完整DDR SDRAM控制器、接口IP和小数分频锁相环技术IP。

Mosaid表示,其Memorize DDR SDRAM控制器和接口IP方案以及Maestro系列小数分频锁相环产品目前已经在由一家领先级晶圆厂采用65纳米工艺技术进行生产,并可以授权给其它晶圆厂。

Mosaid半导体IP高级副总裁Michael Kaskowitz说:"面向消费电子产品尤其是便携式设备的片上系统提供商需要能采用65纳米制程的IP,以给芯片留出的空间用于增加的功能。我们的65纳米内存控制器和PLL方案就解决了性能、功耗和风险问题。"

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