TI以最新高性能LDO再续大厂优势，引领业界潮流

　　电源管理市场因其规模的庞大，吸引了众多厂家前来分羹。而低压差线性稳压器（LDO）更是追捧着甚众。研究数据表明，LDO全球市场规模总值超过了16亿美元，到2012年CAGR仍将维持10%的增长率，其中500mA以上高电流LDO市场TAM值超过4.5亿美元。如此规模庞大的市场对于电源管理IC巨头来说，意味着机遇与挑战并存。该如何在众多业界同行中维持自己的高竞争力？TI用其最新超低功耗TPS780xx LDO来表明了自己的态度。

　　精选应用市场，与MCU寻求共赢

　　从工业控制再到消费电子，MCU始终有着长盛不衰、不可磨灭的地位。正是看中了这一点，TI的TPS780xx LDO面向这类微控制器电源供电应运而生。

　　为了与MCU实现共赢，TPS780xx在借MCU庞大市场供应量来提升自身销量的同时，还必须保证为MCU提供优秀的电源供电性能，二者互助，才能寻求更长远的发展。TI便携式电源管理总监Uwe Mengelkamp指出，TPS780xx实现了仅为500nA的静态电流，该芯片具有的电压引脚可以使设计人员在两种电压电平间进行切换，以实现定制化并将MCU工作期间的功耗减半

　　究竟该TPS780xx LDO在降低MCU功耗方面有多大的威力呢？TI高性能模拟产品半导体事业部市场拓展经理张洪为表示，TPS780xx对于低功耗MCU来说，其节能威力更为显著。以TI自己的低功耗微控制器MSP430为例，通过采用TPS780xx LDO进行电源供电，可以使其待机功耗降低一半。

　　集成＋创新，以高性能为终极目标

　　对于系统设计人员来说，简化设计和保证产品性能是其最为关注的两点，而这两点也给芯片厂商提供了很大的发挥空间。目前许多芯片厂商都通过高度集成来简化系统设计，TI也是如此。Uwe Mengelkamp介绍，TPS780xx集成了动态电压缩放（DVS），因此在节省MCU功耗的同时、相较于成本高、漏电流较大的传统的分立DVS实施办法，TPS780xx可以帮助设计人员减少四个分立器件，即两个分压电阻、一个上拉电阻和一个MOSFET。将MOSFET与LDO集成在同一个芯片中，这对芯片制作工艺要求很高，而TI以150mA下压降典型值为250mV、总静态电流500nA、0.8V至5V可调或固定输出电压范围以及在各种负载/线路/温度情况下的典型误差均保持在3％以内等优秀的性能参数证明了自己工艺方面的实力，从而也加强了公司自身的市场竞争力。

　　TPS780xx集成了动态电压缩放（DVS）

　　同样地为了方便系统设计，TPS780xx LDO还创新的为芯片增加了电压选择（Vset）引脚，使其支持可选双电平输出电压。这样，当电池供电设计的微处理器进入休眠模式后，设计人员可将其设置为动态转换至更低的电压电平。同时，TPS780xx还采用了EPROM架构，使LDO在出厂时便可进行双电压电平预设置。

　　TPS780xx LDO为芯片增加了电压选择（Vset）引脚

　　据Uwe Mengelkamp介绍，采用2mm X 2mm 6引脚SON封装的TPS780xx LDO已经开始提供样片，预计3月投入量产，这对便携设备生产厂商来说，是一个好消息。最近许多电源管理厂商推出的新产品都将节能作为芯片设计的一个考量因素，TPS780xx的设计也是如此。让我们期待TPS780xx等优秀的电源管理产品不断延长电子设备电池使用时间，为我们带去更美好的设备使用体验。