新兴存储器技术涌现 迈入商业化尚待时日

　　在2006年，若干新兴的内存技术大踏步向着完全规模商业化迈进，虽然它们尚未准备好对在该领域占据支配地位的DRAM或闪存构成挑战。

　　对这些技术成就我们没有做特别的排名，它们包括飞思卡尔公司的商用4Mb磁阻RAM(MRAM)、三星电子股份有限公司的相变RAM(PRAM)和全息内存、InPhase Technologies公司的非半导体内存技术。这些技术的开发已经历时多年，由于各种原因，每一种技术都尚未准备就绪以迎接发展的黄金时间。然而，在2006年取得的技术改进可能足以证明：迅速把各自的技术从实验室推向附近的供货商是有益的。

　　飞思卡尔表示，其MRAM器件能够捕获所有当今内存技术的所有想要的特性。该公司表示，其新器件已经把读和写速度平衡到了35ns，类似于DRAM或闪存，并且存储单元的密度类似DRAM和闪存。然而，飞思卡尔表示，MRAM没有像DRAM那样的泄漏问题，并支持像DRAM、SRAM以及非易失性闪存那样的无限制耐久性约束。

　　MRAM作为一种技术已经出现了几年，但是，由于各种各样的原因一直没有实现大量的商业成功，这些原因包括不具备竞争力的每位成本和难以把采用该技

　　三星公司的512M PRAM值得注目之处在于其密度和功能集—即密度、读和写性能及耐久力—使之直接与大批量应用(如移动电话)中的NOR闪存竞争。在过去的几年中，三星公司一直吹嘘64Mb和256Mb器件将成为NOR闪存的杀手—但是市场成效不大。该公司目前声称，已经解决了保持内存数组数据所需要的硫化物层的化合物挑战，并预期最快在2008年使主流市场转向PRAM。

　　三星不是唯一关注相变内存未来发展潜力的企业，英特尔和ST微电子已经联合设计和开发了128Mb器件，但是，迄今为止尚位作出产品的发布或预测批量商业化生产的日期。目前来看，相变内存的关键不在于如何制造它，而在于以引人注目的价格点来制造它，以便取代它的竞争对手NOR闪存。如果相变内存不能以合适的价格交付使用，那么，市场认同将进一步延迟。

　　全息内存的开发也历时许多年，目前看来能够作为录制备份系统的竞争力技术而出现，从而提供广泛的可归档数据性能和极长的数据保持周期。

　　这类内存利用激光、光检测器、图像传感器和在实现术语上称为“体记录”的专用媒介技术。利用为当今消费级高清晰度DVD刻录机和高分辨率数字摄像机开发的技术—包括蓝和绿激光技术及CMOS图像传感器—已经能够实现全息内存的商业化。

　　全息内存设备至今尚未准备好推向消费市场，而其一次写入、多次读出(WORM)的限制和高昂的设备成本对提高其采用率有一定限制。然而，随着研究工作的深入，全息内存可能有一天成为主流的内存。

　　InPhase公司的Tapestry 300读/写系统目前的报价是18,000美元，在直径仅仅为5.25英寸的单一媒介光盘上提供了300Gb的数据存储密度，这种光盘类似于目前标准的DVD光盘并具有稍微高于100美元的报价。5.25英寸光盘的理论最大密度目标是超过1.6Tb，但是，近来不可能达到那个水平。

　　目前来看，所有这三种技术的内存尽管引人感兴趣，但仍然被坚定地确立为有发展前途的领域。在这些技术开始迈向商业化之前，要持续改善收入物化和采用率，目标市场将来的发展尚拭目以待。