日前，德州仪器(TI) 宣布推出第二代超高频(UHF)硅芯片RFID技术，该高级硅芯片设计可显著提高标签性能，从而加快零售供应链商品的识别速度。
以晶圆与条状芯片形式提供的第二代超高频硅芯片由最高级的130纳米模拟过程节点开发而成，内置的肖特基二极管提高了射频(RF)信号能量的转换效率。这样，硅片实现了低功耗与芯片至读取器的更高灵敏度。即使在典型供应链厂房与库房环境中普遍存在背景电磁干扰的情况下，用户也可以在最低RF功率的状况下对TI芯片完成写入。
对于那些已经部署传统RFID系统的公司来说，第二代超高频硅芯片将使它们有望提高包装箱与托盘通过制造和分销渠道时的标签读取率。由于芯片至读取器的灵敏度得到了显著提高，有关公司将能够更准确地跟踪供应链各个环节的产品与包装情况，以改进工艺流程。无论是在标准还是在高密度读取器工作模式下，TI芯片均能提供高度可靠的读取范围性能。因此，针对RFID读取器设置与放置的限制条件有所减少，这将更有利于用户获得有效结果与最大读取率。
TI以三种简便的形式为内嵌、标签与包装制造商提供第二代RFID硅芯片，从而为客户带来更高的设计灵活性：一是裸片晶圆，以支持多种组装工艺；二是经过处理的晶圆(有凸起，用背磨锯出)，适合立即用于商用内嵌设备；三是条状硅片，适合自行印制天线的标签与包装制造商。TI还提供参考天线设计，以帮助客户开发能够进一步优化其硅芯片技术的标签。
京公网安备 11011202001138号
