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芯片制造协会Sematech宣称在高K/金属门晶体管的隧道迁移率和可靠性方面取得突破。据该协会称,这将使面向CMOS的高K技术能应用于45纳米技术节点。
数十年来,二氧化硅材料一直用于门堆栈。但随着晶体管持续缩小,这些材料正逐渐接近物理极限。一种解决方案是使用其它材料作为门介电质,如基于铪的金属氧化物。这些所谓的高K材料可以做得比二氧化硅厚很多,但能实现同样的门电容。
高K材料难于集成。然而,Sematech声称通过在硅酸铪(HfSiO)介电材料上采用氮化钛(TiN)金属门取得重大突破。据称这种方法得到的等效氧化物厚度(EOT)大约为10埃,迁移率是二氧化硅通用迁移率曲线的90%。
这种EOT和迁移率矩阵符合半导体国际技术蓝图制定的(ITRS)45纳米技术节点规范。该工艺预计不会为现有的CMOS产品流程增加显著的成本。
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