三星电子(Samsung Electronics)日前宣布制造出了全球首款DDR3 DRAM存储器原型。该款最新的512Mb DDR3 DRAM存储器能够达到1,066Mbps的处理速度(相当于每秒处理8,000页报纸),并将于2006年初实现量产。DDR3将成为笔记本电脑、台式器和服务器使用的下一代高性能、低耗能存储芯片的标准。
三星电子该款DDR3芯片原型耗电量小,据称是日益增长的无线领域中第一款能够在1.5伏低电压下工作的存储芯片。它的运行速度也分别是DDR2的两倍和DDR的四倍,并首次将存储器处理速度提升到了G的级别。它同时也将利用80纳米的先进技术和新的功能,例如自驱动校准和数据同步技术,从而达到空前的处理速度。
三星电子分别在1998年和2001年推出了DDR DRAM和DDR2 DRAM存储芯片。如今,三星电子的这款基于DDR3标准的512Mb DRAM存储芯片原型将以更快的速度和更低的能耗面向电脑应用。
三星的下一代DRAM产品线包括XDR、DDR2以及现在的DDR3存储芯片。半导体市场研究公司IDC预测第一批DDR3 DRAM将于2006年出售,到2009年将占领整个DRAM市场65%的份额。
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