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日本芯片设备供应商Tokyo Electron Ltd.最近与法国CEA LETI(电子和信息技术实验室)签署了一项协议,开发包含高K值绝缘体及金属门材料和45纳米及以下制造工艺节点沉积工艺的CMOS门堆栈。合作将在CEA LETI用于加工300mm晶圆的生产设施Nanotec300进行。
Nanotec300于今年4月22日投产,已签订了数个协作合同,包括与Crolles联盟的三大合作伙伴——Freescale Semiconductor、飞利浦与意法半导体。
按照协议,TEL将提供其“Telformula”批量热处理系统及单晶圆“Trias”系统。除了高K及金属门材料的基本开发工作之外,该合作开发项目还将面向沉积前和沉积后工艺。TEL公司运作及销售业务部副总裁Peter Horii在一项声明中表示,“我们期望能迅速推进面向先进高K金属门堆栈集成客户解决方案的开发。”
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