虽有英特尔大力推动,04年DDR2仍难成主流

英特尔公司正准备推出面向下一代系统的新型芯片组,期望此举可将推动DDR2 SDRAM存储技术的应用。然而,分析家表示,DRAM的价格和交叉点(crossover)问题阻碍了下一代DDR2存储产品的发展。

英特尔计划在未来两个季度里,至少推出五种支持DDR2 SDRAM存储技术的芯片组。第二季度推出支持DDR2 SDRAM存储器的芯片组——Grantsdale、Alderwood和Tumwater,它们分别用于台式机、工作站和服务器。第三季度再推出两款DDR2芯片组——Linenhurst和Alviso,它们分别用于服务器和移动系统的DDR2产品,其中Alviso号称第五代芯片组。

初期的英特尔芯片组将支持400-和533-MHz的DDR2 SDRAM技术。DRAM供应商还计划陆续开发667-MHz DDR2技术,以及号称DDR3的新一代存储技术。

市场研究公司iSuppli表示,当前的DDR1和新的DDR2技术之间的交叉点问题(crossover point)依然存在。因而,尽管英特尔大力推行DDR2技术,这种下一代DRAM技术仍不太可能在2004年成为市场的主流。实现DDR2过渡比半导体行业从EDO(Extended Data Out)迁移至SDRAM,以及从SDRAM到DDR的难度高得多。

DRAM供应商三星电子的DRAM市场总监助理Jim Elliott表达了不同观点:“我们认为DDR2将会以最快的速度完成过渡。”

Elliot分析道,快速过渡的一个原因在于DDR1和DDR2技术之间的价格平衡点。DDR2平衡价格(price parity)将在2005年形成,即新技术发布后12到18个月。

三星公司正在交运以新的100nm工艺生产的新型512MB DDR2 SDRAM产品,并同时提供1GB DDR2样品。三星的300mm晶圆厂也在采用新的100nm工艺生产存储芯片。

英特尔平台存储业务开发经理Geof Findley表示,关于DDR2技术,英特尔已认可了三星、美光、英飞凌、Hynix和Elpida的产品。他还说:“我们正处于DDR2 400/533快速发展时期,行业大环境日趋健康成熟。”