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日前举行的2003年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,日立与三菱的合资企业瑞萨科技(Renesas)公司宣布开发出一种绝缘硅形式的CMOS,可以在比传统的CMOS能量耗费更低的情况下提供高性能的动态门限电压。
瑞萨科技表示,SOI晶体管结构的1 Mb SRAM的试验产品采用130纳米SOI CMOS工艺,与传统的CMOS相比,操作电压的从0.6V降低到0.5V,减少大约20%。同时在更高的电压时操作速度大约为35%,这种技术适用于要求节省功率的微控制器和系统级芯片逻辑器件领域。
通常,简单的减少电路操作电压确实能导致功率消耗的减少,但通常会降低性能,并且在相当大的程度上减少计算效率,并且会出现漏电流在整个电流中的比例增加。
瑞萨科技的SOI设计包括一种专有的混合沟道隔离(hybrid trench isolation)技术,允许根据晶体管操作状态实现动态的门限电压控制,而没有任何区域或者寄生的电容的增加。
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