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IMS将开发400万电子束可编程掩膜光刻工具

  2005年01月26日  

IMS Nanofabrication GmbH日前披露了将使用“可编程掩膜”无掩膜光刻工具的计划。该公司声该这种工具将使用400万电子束,用于加工45纳米节点及以上的芯片。

在International Sematech主办的Maskless Meeting(无掩膜大会)上,这家奥地利公司在一篇论文中探讨了其多电子束无掩膜光刻技术,名为PLM-2。IMS和德国的Leica Microsystems AG首次披露了该技术的一些细节。

IMS表示,提议使用的工具基于Leica现有的直接写入电子束平台SB350DW。双方将合作研制下一代多电子束工具。与基于单电子束技术的SB350DW不同,IMS将研制一种据称能提供单柱内400万独立电子束的系统。

IMS执行总监Gerhard Gross透露,该技术的关键是将孔径盘系统作为可编程掩膜。该工具缩小倍数为200,有5KeV的电子枪,提供的电子束直径为1mm。覆盖精确度为20nm,分辨率为180nm/像素,IMS表示。

该公司将于2006年底推出Alpha工具,2008年推出可用于生产的工具。


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