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德国Xtreme Technologies GmbH日前宣称在提高EUV光源的功率输出上超越了其目标,以寻求将甚超紫外线(EUV)光刻引入到芯片制造。
Xtreme声称在原理实验中,从项目一开始的大约120瓦,研制出800瓦功率的EUV光源。对于批量生产中的EUV,功率输出到2010年左右必须要达到接近1千瓦。EUV光刻有望成为下一代芯片加工技术,基于13纳米波长的流明,使芯片制造商能在集成电路上印刷32纳米及更小的特征尺寸。
Xtreme是Lambda Physik AG和Jenoptik建成的合资企业。Lambda Physik的股份于2005年被日本的Ushio公司收购。为期36个月的该项目属于被称为“More Moore”的欧洲EUV项目的一部分,于2004年初启动,由荷兰的ASML公司牵头。
尽管面临许多包括功率输出和光学在内的技术挑战,EUV仍然不断取得进展。Carl Zeiss SMT表示,已向ASML交付了首套面向EUV光刻的光学系统。
ASML正在开发两套Alpha EUV光刻工具,以在第二季度分别交付给比利时的IMEC研究中心和纽约Albany大学纳米技术分校。
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