Atmel和法国原子能委员会(CEA)运作的电子应用研究实验室Leti日前宣布就闪存中采用的硅“纳米晶体”技术达成一项合作协议。合作的首项成果预计在2006年年底前公布出版。
该研发协议倡议共享双方的科学知识和材料资源。它特别基于CEA-Leti制定的“短期循环”程序,使硅晶圆能在CEA-Leti设于Grenoble的洁净室与Atmel位于法国Rousset的晶圆加工厂之间快速并安全地流通(circulation)。
该项目开发的硅纳米晶体技术将被集成到Atmel目前已展开的下一代非易失性存储器研发项目Erevna中。该项目的总体目标是研制出130nm、90nm和65nm节点的非易失性和嵌入式存储器,2009年可实现商用。
纳米水晶硅用晶体断层来存储电荷,据称是推动闪存发展的一种方式,但可能由于电荷泄漏而在缩放时出现问题。常规浮动门闪存包含多晶硅沉积层,以维持电荷。随着进一步缩小,避免出现使电荷泄漏的缺陷变得日益困难。通过转向大约600个或相当的纳米水晶,每个直径大约为50埃,位单元获得了浮动门层断裂的免疫能力。
飞思卡尔半导体公司在2005年11月宣称论证了24Mb纳米水晶闪存的容量,向推出65纳米节点纳米水晶闪存迈进了一步。
CEA-Leti拥有10年的微电子纳米水晶硅领域的经验,Atmel提供在先进产品和前沿技术开发领域的专长。通过与CEA-Leti合作,Atmel目标是“快速提升闪存性能,在65纳米技术领域进展上抢占先机。”
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