九十年代末,一些激进的业界人士宣称基于操纵电子自旋(electron spin)的存储芯片技术将在2004年面市。如今一年已经过半,MRAM(magnetic-RAM)的样片还没有出现,但是一些公司仍然表示他们的MRAM规划运作良好。
“对于我们的主要MRAM专利授权客户摩托罗拉的Freescale半导体和赛普拉斯(Cypress)来说,似乎不存在大的商业化障碍。”NVE公司首席执行官Daniel Baker表示,“摩托罗拉公司正在进行产品工程,并表示他们计划在2004年晚些时候开始试产。Cypress公司已经表示他们能‘在任何时候’推出样片,但在此之前他们想要减少软错误率(soft-error rate)。”
NVE公司最近开发出的一项基于转移自旋动量、从电子流到MRAM单元的写数据技术被授予了专利,该技术是和Cornell大学的Nanoscale Systems中心共同研发。
业界对MRAM技术的开发正如火如荼,NEC公司和东芝公司正在合作研究磁隧道接合(magnetic tunnel junction)技术。NEC公司在2003年的国际固态电路会议(International Solid-State Circuits Conference)上描述一个512 kb的MRAM原型。IBM公司和英飞凌公司也在联合规划开发技术,而Honeywell公司与摩托罗拉公司共同从事magnetoresistive RAM军事项目的开发。同时,三星电子和夏普公司也在从事MRAM技术的研发。
当前MRAM研究的目标是减少写数据需要的功率,并且寻找孤立相邻单元的方法,这样可以不使数据之间相互作用并且出现误用。
与此同时,Honeywell公司已开发出一项rad-hard硅绝缘体技术,并且希望能在芯片上集成MRAM,为空间应用提供一种高可靠度的解决方案。
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