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UMC开发出特殊间隙壁工艺新技术

  2005年12月28日  

联华电子(UMC)宣布该公司已开发出特殊间隙壁工艺(Ultimate Spacer Process;USP)的应变硅技术,可同时提升N型及P型金氧半晶体管的效能。采用此特殊间隙壁工艺技术,可使N型金氧半晶体管的驱动电流提高15%,P型金氧半晶体管驱动电流提高7%,同时仍维持整体工艺的简易性。

UMC表示,该项技术在结合硅基材信道工程时,更能大幅提高P型金氧半晶体管驱动电流达35%。此外,该特殊间隙壁工艺应变硅新技术也已在客户FPGA产品上验证其效果,在相同的产品良率与可靠性质量下,已可成功增进客户产品15%电路效能,因此也将可应用在65奈米及以下之先进工艺量产使用。

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