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IC设计和制造工艺独立研究组织IMEC最近研制成功能存储9-bit的非易失性存储器单元的原型。与给定制造工艺下所采用的先进浮动门存储器(floating gate memory)相比,该技术能潜在地使存储密度实现高达4倍的增长。
通常,每一个闪存的存储器单元内能够存储1-bit,尽管Saifun Semiconductor公司已经论证了在每一个闪存浮动门末端储存单一比特的能力。这种类型的闪存被FASL LLC称为“MirrorBit”,而Macronix International称为“Nbit”。
Saifun最近公布了一项扩展该技术的计划,通过集成两个存储模块在每个存储器单元内储存4-bit。
与此同时,IMEC的研究人员开发出了名为“ScanROM”的器件,能在每个存储器单元内储存9-bit。ScanROM基于双门晶体管,在耗尽端门下方有一层氮氧氮电荷阱介电层。细节将于6月15到17日在夏威夷举行的VLSI Technology and Circuits研讨会上公布。
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