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Tezzaron半导体公司日前宣布该公司采用90纳米工艺开发出一项新型伪静态存储技术PSiRAM。据称,在系统级芯片SoC应用时,使用该技术的存储器可以成为世界上最快的存储器之一。
PSiRAM原型器件的延迟1.3纳秒,一个周期时间1纳秒,每个引脚最大吞吐量每秒2Gb。PSiRAM原型器件采用90纳米工艺制造,该工艺生产的每个存储单元仅有0.59微米见方。Tezzaron半导体公司打算授权PSiRAM技术用于SOC的应用领域。
该公司已经为这项技术制定了一些庞大计划。首席技术总监Bob Patti指出:“我们会向市场供应两个不同的版本。一种完全隐藏刷新功能,类似于一个标准的SRAM；另一种允许用户刷新,就像现在的DRAM。DRAM版运行速度比SRAM版快一些。第一种版本的延迟不是1.3纳秒,而是大约1.8纳秒。”
Tezzaron公司计划明年全力生产PSiRAM芯片组。2004年上半年先推出130纳米工艺的版本,下半年就会推出90纳米工艺版本的PSiRAM芯片组。
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